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学术报告——深纳米尺度半导体技术的进展、挑战与展望
2017-06-28 15:01   审核人:
主讲人:陈毅坚博士
讲座时间:7月20日上午10点
讲座地点:软件园校区微电子学院圆形多功能厅
邀请人:郭柏君院长

    报告人简介:陈毅坚博士本科毕业于北京大学,硕士毕业于美国MIT麻省理工学院,博士毕业于加州大学伯克利分校,现任北京大学(深圳研究生院)信息工程学院副教授,其研究领域聚焦于下一代三维晶体管的器件物理,集约模型,VLSI制程工艺,以及深纳米尺度的光刻与电子设计自动化(EDA)技术。其博士课题探索了机电耦合阻尼条件下的MEMS器件动力学与控制,以及面向无掩模极紫外光刻技术(maskless EUV lithography)的微反射镜阵列的器件设计与工艺制程。陈博士研究生时期曾获Ross Tucker (AIME Electronics Materials) Award(2001年)和SRC Inventor Recognition Award (2004年)。

毕业后,陈博士在美国半导体产业界(主要是美光科技和应用材料公司)工作数年,曾获应用材料公司的优秀员工奖和多次优秀团队奖。陈博士2011年回国,在北大深圳研究生院任教,曾入选鹏城学者(2012至2014),并担任2016和2017年国家和浙江省自然科学基金的评议专家。其带领的科研团队在国际核心半导体期刊和会议上发表了一系列重要技术论文,对延续摩尔定律至10nm以下起重要作用,被国际半导体产业界(比如,ITRS路线图)广为关注。

    报告摘要:半导体集成电路技术,作为现代信息社会的支柱产业,五十几年来一直沿着摩尔定律所预测的路线呈指数性高速发展。特别是集成电路进入深纳米尺度以来,我们遇到了从光刻物理极限到晶体管材料与基本结构调整等重大挑战。报告将讨论全球半导体产业界在10纳米以下节点取得的技术进展,特别是突破光刻物理极限的工艺创新与电子设计自动化(Electronic Design Automation)技术,低功耗的3D多栅极(multi-gate)器件物理和模型构建等核心问题。报告也将对摩尔定律未来10年继续往3纳米发展的前景,做出技术性展望。

 

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