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微电子学院拟毕业博士朱庚昌在学期间学术成果公示
2018-09-27 14:06   审核人:

朱庚昌,男,微电子学院2014级博士研究生,专业:微电子学与固体电子学。

一、论文发表情况

1.Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation. Applied Physics Letters 109, 113503 (2016). 作者位次:第1位。论文级别:国际期刊, 收录方式:SCI, 影响因子:3.142.

2.GaN metal-oxide-semiconductor high-electron-mobility transistors using thermally evaporated SiO as the gate dielectric. Semiconductor Science and Technology 33, 095023 (2018). 作者位次:第1位。论文级别:国际期刊, 收录方式:SCI, 影响因子:2.28.

二、申请专利情况

一种高电子迁移率晶体管栅介质的制备方法.专利类型:发明专利.专利登记号:201810444648.6.登记日期:2018-05-10. 作者位次:2.

公示时间:2018927-2018929

公示邮箱:wdzyjw@sdu.edu.cn

 

                                                                                                    

                                                                      

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