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冀子武课题组在InGaN基蓝光LED的研究中取得新进展
2018-01-24 10:43 张媛  审核人:

   近日,美国期刊《Materials Express》作为封面文章(On the cover发表了冀子武等人关于InGaN基蓝光LED的最新研究成果(题目:Combined effect of the indium content and well width on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum well-based LEDs, Mater. Express 7, 523-528 (2017); DOI: https://doi.org/10.1166/mex.2017.1396。论文前三位作者为我院在读博士研究生吕海燕、李长富和李建飞,冀子武教授为唯一通讯作者山东大学为唯一完成单位


 

当前,尽管InGaN发光器件已经被广泛应用于显示、背光照明、通信及军事等领域,然而其低效率和短寿命等难题一直未得到有效解决。为此,我院冀子武课题组具有不同铟含量和阱宽但发光波长近似相同的InGaN/GaN多量子阱基蓝光LED的发光特性进行了详细调查。其研究结果为高性能LEDLD的制备提供了新的思路

近年来,冀子武课题组在InGaN/GaN多量子阱基LED研究领域已先后在Opt. Express, J. Appl. Phys. , Mater. ExpressSci. Rep. 等期刊上发表多项研究成果。相关研究得到了国家重点基础研究发展计划(973国家自然科学基金重大研究计划及面上基金,教育部高等学校博士学科点专项科研基金,山东省科技厅科技发展计划,山东省自然科学基金,国家重点实验室基金,教育部重点实验室基金等项目的支持。

 

论文链接:

http://chinesesites.library.ingentaconnect.com/content/asp/me/2017/00000007/00000006/art00010

http://www.aspbs.com/mex/

相关研究:http://www.osapublishing.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-20-4-3932

http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.4820395

http://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.4827205

https://www.osapublishing.org/oe/abstract.cfm?uri=oe-25-20-A871

https://www.nature.com/articles/s41598-017-15561-9

 

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