冯先进-山东大学微电子学院
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冯先进
2016-06-14 16:32   审核人:


冯先进,男,生于198112月,副教授,硕士生导师,美国IEEE会员。有着多年的半导体薄膜材料与器件方面的研究经验,研究内容涉及氧化物薄膜材料、薄膜太阳能电池、场效应晶体管等。入职以来主持和承担了相关领域国家级科研项目3项,省部级项目5取得了较多的研究成果,在Applied Physics LettersApplied Surface ScienceIEEE Transactions on Electron DevicesJournal of Physical Chemistry CJournal of Alloys and Compounds等国际知名期刊上共发表SCI论文近50篇(其中第一和通讯作者SCI论文20余篇),并多次受邀担任相关SCI期刊和科研基金项目的通讯评审专家。所指导的研究生因科研成果突出曾先后荣获国家奖学金校长奖学金等荣誉称号。课题组有国际先进的微电子材料与器件的研究设备和平台,欢迎具有微电子、物理、材料等专业背景的同学报考本人的研究生。

教育背景:

2003/9 - 2008/6,山东大学,微电子学与固体电子学,博士

1999/9 - 2003/6,山东大学,微电子学,学士

科研与工作经历:

2016/5 – 至今,山东大学,微电子学院,副研究员

2012/9 - 2016/4,山东大学,物理学院,副研究员

2011/4 - 2012/8,美国University of South Florida,博士后研究员

2009/3 - 2010/9,德国Darmstadt University of Technology,博士后研究员

半导体薄膜材料与器件,包括氧化物薄膜材料、太阳能电池、薄膜晶体管等。

通信地址:山东大学微电子学院

电子邮箱:xianjinfeng@sdu.edu.cn

2015年  山东大学优秀班主任

2016年  山东大学优秀共产党员

1. 国家重点研发计划,2017YFB0405400,微纳生化传感材料与器件,1434万元,2017 -2021,项目骨干。

2. 国家自然科学基金项目,51602180,高质量n型氧化亚铜薄膜及其同质结太阳能电池的研究,2017-2019,主持。

3. 山东省重点研发计划,2017GGX201007,新型氧化物薄膜晶体管的研发,2017-2019,主持。

4. 山东省重点研发计划,2016GGX104013,高效氧化物薄膜太阳能电池的研发,2016-2018,主持。

5. 山东省自然科学基金项目,ZR2014FQ030,脉冲激光沉积法高效氧化亚铜基太阳能电池技术探索,2014-2017,主持。

6. 中国博士后面上基金,2016M602140,高效氧化物薄膜太阳能电池关键技术研究,2016-2018,主持。

7. 中国工程物理研究院太赫兹科学技术基金,CAEPTHZ201409SiC衬底GaN基大功率HEMT芯片工艺研究,2014-2016,主持。

1. Effect of annealing on the structural and optical properties of β-Ga2O3 films prepared on gadolinium gallium garnet (110) by MOCVD, Ceramics International 44, pp 830-835, 2018,通讯作者.

2. Pulsed-laser-deposited, single-crystalline Cu2O films with low resistivity achieved through manipulating the oxygen pressure, Applied Surface Science 435, pp305-311, 2018,通讯作者.

3. Cu2O epitaxial films with domain structures prepared on Y-stabilized ZrO2 substrates by pulsed laser deposition, Ceramics International 43, pp pp15500-15504, 2017,通讯作者.

4. Structural, electrical and optical properties of In doped brookite TiO2 thin films deposited on YSZ (110) substrates by MOCVD, Journal of Alloys and Compounds 708, pp1195-1200, 2017,通讯作者.

5. Performance enhancement of AlGaN/AlN/GaN high electron mobility transistors by thermally evaporated SiO passivation, Applied Physics Letters 109, pp 113503, 2016,通讯作者.

6. Effect of annealing on the properties of Ga2O3:Mg films prepared on α-Al2O3 (0001) by MOCVD, Vacuum 124, pp 101-107, 2016,第一作者.

7. Ternary Al2xIn22xO3 films with tunable optical band gap prepared on YSZ (100) substrates by metal organic chemical vapor deposition, Journal of Alloys and Compounds 637, pp 257-260, 2015,第一作者.

8. Preparation and characterization of ternary AlInO films on Y-stabilized ZrO2 substratesMaterials Letters 161, pp 68-71, 2015,第一作者.

9. Mg-doped β-Ga2O3 films with tunable optical band gap prepared on MgO (110) substrates by metal-organic chemical vapor deposition, Materials Science in Semiconductor Processing 34, pp 52-57, 2015,第一作者.

10. Preparation and characterization of ZnTe as an interlayer for CdS/CdTe substrate thin film solar cells on flexible substrates, Thin Solid Films 535, pp 202-205, 2013,第一作者.

11. Processing temperature and surface Na content of TiO2 nanocrystallites in films for solid-state dye sensitized solar cells, The Journal of Physical Chemistry C 114, pp 20049-20054, 2010,第一作者.

12. Preparation and characterization of single crystalline SnO2 films deposited on α-Al2O3 (0001) by MOCVD, Materials Letters 62, pp 1809-1811, 2008,第一作者.

      13. Highly thermal stable transparent conducting SnO2:Sb epitaxial films prepared on α-Al2O3 (0001) by MOCVD, Applied Surface Science 254, pp 6601-6604, 2008,第一作者.



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