首页 | 学院概况 | 学科建设 | 人才培养 | 招生信息 | 师资队伍 | 科学研究 | 教学研究 | 学生工作 | 党群工作 
 
当前位置: 首页>>师资队伍>>教工列表>>正文
 
马瑾
2016-06-14 16:49   审核人:

马瑾,男,1960年9月生人,二级教授,博导,享受政府特殊津贴。

1982年7月,山东大学物理系理论物理专业毕业,学士学位; 1988年7月,山东大学物理系固体物理专业毕业,硕士学位; 2001年获得理学博士学位。

1977年8月下乡知青;1982年7月,山东大学物理系工作,1995年被聘为副教授,后成为山大青年学术带头人,教育部骨干教师。1999年9月破格晋升为教授, 2004年被聘为山东大学微电子学科关键岗教授。承担 “七五”、“八五”、主持“九五”国家重点科技攻关项目,主持国家自然科学基金(多项)、教育部科学技术研究重点项目和教育部高等学校骨干教师资助计划等项目。取得国家级和省部级科研成果10项,获得教育部提名国家自然科学一等奖、山东省自然科学三等奖和山东省科技进步三等奖各一项,获得国家发明专利8项,出版《透明氧化物半导体》专著一部,发表SCI收录论文百余篇。


现主讲:《电动力学》课程

曾主讲:

硕士研究生课程:《薄膜物理》

博士研究生课程:《高等半导体物理》、《电子薄膜科学》


宽禁带半导体


1主持国家自然科学基金项目:“二氧化钛外延单晶薄膜的制备及其特性研究, 2015年1月-18年12月,总经费83 万批准号:51472149。 在研

2主持国家自然科学基金项目:“可调带隙铝-铟氧化物半导体薄膜材料的制备及性质研究”,2013年1月—2016年12月80万,项目批准号:51272138。在研

3主持国家自然科学基金项目:“Beta-氧化镓单晶薄膜的外延生长及    性质研究”, 39万,批准号:51072102。

4主持国家自然科学基金项目:“单晶氧化锡外延薄膜的制备及性能研究”, 35万,项目批准号:50872073。

5主持国家自然科学基金项目: “镓铟氧化物深紫外透明半导体薄膜的制备及特性研究”, 32万,批准号:50672054。

6. 主持国家自然科学基金信息功能材料重大研究计划项目:“高质量氧化锡薄膜的制备及其发光性质的研究” , 24万,编号:90401004。

7. 承担并主持国家自然科学基金项目:“MOCVD制备的氧化锌薄膜的受激光辐射研究”,编号:60076006。

8.  主持国家自然科学基金项目:“磁控溅射柔性衬底ZnO透明导” , 12万,编号:69876025。

9. 主持教育部科学技术研究重点项目:“有机柔性衬底氧化锌、氧化锡透明导电膜”, 20万,编号:重点02165。

10. 主持国家“九五”重点科技攻关项目;“新型超大规模集成电路清洗技术研究”,1998至2000年,270万,第二项目负责人,编号:97-778-01-01


近五年代表性论

Synthesis and characterization of structural and optical properties of heteroepitaxial brookite TiO2 single crystalline films, Weiguang Wang, Mingxian Wang, Zhao Li, Xuejian Du, Haisheng Xu, Wei Zhao, Xianjin Feng, Jin Ma*

Scripta Materialia 115 (2016) 75–79.

Effect of thermal annealing on the optical and structural properties of γ-Al2O3 films prepared on MgO substrates by MOCVD, hao Li, Jin Ma*, Xianjin Feng, Xuejian Du, Weiguang Wang, Mingxian Wang

Ceramics International 42 (2016) 551–558.

Characterization of tunable band gap aluminum indium oxide films prepared on SiO2 (0001) by MOCVD, Xuejian Du,  Zhao Li, Caina Luan, Weiguang Wang,  Mingxian Wang, Jin Ma*

Journal of Materials Science: Materials in Electronics, January 2016, Volume 27, Issue 1, pp 599-605

Preparation and characterization of single crystalline anatase TiO2 films on LSAT (001) by MOCVD, Mingxian Wang, Weiguang Wang, Zhao Li, Xuejian Du, Xianjin Feng, Haisheng Xu, Wei Zhao and Jin Ma*

RSC Adv., 2016, 6, 4867-4871

Zhao Li, Jin Ma *, Cansong Zhao, Xuejian Du, Wei Mi, Caina Luan, Xianjin Feng, Preparation and characterization of Al2xIn22xO3 films deposited on MgO (10 0) by MOCVD, Materials Research Bulletin 67 (2015) 14–19.

Weiguang Wang, Jin Ma *, Mingxian Wang, Zhao Li, Xuejian Du, Xianjin Feng, Wei Zhao, Haisheng Xu, Caina Luan, Characterization of anatase TiO2 epitaxial films deposited on YSZ(100) substrates by metal-organic chemical vapor deposition, Materials Letters 161 (2015) 9–12 

CANSONG ZHAO, ZHAO LI,  WEI MI,  CAINA LUAN, XIANJIN FENG, and JIN MA*, Structure and Optical Properties of Epitaxial Indium Oxide Films Deposited on Y-Stabilized ZrO2 (111) by MOCVD, Journal of ELECTRONIC MATERIALS, Vol. 44, No. 8, 2015

Xuejian Du,  Zhao Li, Caina Luan, Weiguang Wang, • Mingxian Wang, Xianjin Feng, Hongdi Xiao,  Jin Ma*, Preparation and characterization of Sn-doped b-Ga2O3 homoepitaxial films by MOCVD, J Mater Sci (2015) 50:3252–3257, DOI 10.1007/s10853-015-8893-4  

Wei Mi, Zhao Li, Caina Luan, Hongdi Xiao, Cansong Zhao, Jin Ma*, Transparent conducting tin-doped Ga2O3 films deposited on MgAl2O4 (1 0 0) substrates by MOCVD, Ceramics International 41 (2015) 2572–2575

Electrical and optical characterizations of b-Ga2O3:Sn films deposited on MgO (110) substrate by MOCVD, Wei Mi, Xuejian Du, Caina Luan, Hongdi Xiao and Jin Ma*,RSC Adv., 4, 3 (2014), 30579–30583.

Structural and optical properties of β-Ga2O3 films deposited on MgAl2O4 (1 00) substrates by metal–organic chemical vapor deposition,Wei Mi, Jin Ma*, Caina Luan, Hongdi Xiao, Journal of Luminescence 146(2014) 1-5

Structural and optical properties of single crystalline columbite tin oxide film, Lingyi Kong, Jin Ma, Caina Luan, and Zhen Zhu,

APPLIED PHYSICS LETTERS 98, 261904 (2011).

 

近五年发明专利:

一种带隙宽度可调的铝铟氧化物薄膜材料及其制备方法,发明专利号:ZL 2014 1 0036256.8, 发明人:马瑾 李钊 栾彩娜,申请时间:2014-1-26, 批准日期 2016,4,6

一种在氧化镁衬底上制备单斜晶型氧化镓单晶薄膜的方法, ZL2010 1 0531195.4发明专利 发明人:马瑾 孔令沂 栾彩娜   申请时间:2010-11-4   批准日期 2012,2,1

一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法   ZL2008 1 0014907.8     发明专利,发明人:马瑾 杨帆 栾彩娜     申请时间:2008-3-31     批准日期 2012,2,1

一种在钇掺杂氧化锆衬底上制备立方结构氧化铟单晶薄膜的方法,ZL2010 1 0141341.2 发明专利;发明人: 马瑾;孔令沂;栾彩娜,申请时间  2010.04.08,批准日期2011.06.01。

专著: 《透明氧化物半导体》,中国科学出版社,北京 Oct-14 474 ISBN 978-7-03-041664-3     半导体科学, 作者:马洪磊,马瑾


享受政府特殊津贴。


通信地址:济南市 山大南路 27号,光电材料与器件研究所

邮政编码:250100

联系电话:0531  88361057

电子邮箱:jinma@sdu.edu.cn


关闭窗口