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冀子武
2016-06-15 10:22   审核人:


冀子武,男,1962年12月出生,教授,博士生导师。

教育经历:

山东大学物理系,学士;中国海洋大学物理系,硕士;(日本国立)千葉大学物理系,理学博士。

主要工作、科研经历:

2016年(日本国立)東京大学博士后研究员;2008年作为山东大学杰出人才受聘回国任物理学院教授,博士生导师。2016年转任新成立的微电子学院教授,博士生导师。现为東京大学共同研究员,民政部批准、团中央指导的在海内外有较高影响力和知名度的国家高级别学术组织《中国青年科技工作者协会》会员,日本物理学会会员,在日中国学者材料学会会员。美国《Opt. Express》、《Appl. Phys. Lett.》、《J. Appl. Phys》等多种国际重要学术期刊的评审专家。

本科课程:普通物理等

硕士研究生课程:超晶格材料与器件等

博士研究生课程;低维材料与器件,半导体光电子学等

主要研究低维(纳米)半导体的光电特性,包括光/电转换材料(GaN、InGaN、ZnO、ZnTe、ZnSe等)和器件(LED、HEMT等)的制备、光电性能及转换效率等,是深受高校、研究所及企业欢迎的热门专业。与美国的佛罗里达国际大学,日本的東京大学、千葉大学、佐贺大学,以及国内其他知名院校和研究所等保持着密切的研究合作。自2008年回国并开始招生以来,已培养硕士毕业生10名,博士毕业生3名。在读硕士生4名,在读博士生3名。其中有两名学生因成绩突出而获得国家奖励。

自2008年受聘回国后主持的国家项目如下:

1. 主持国家自然科学基金项目:《ZnSe/BeTe II型量子结构中I 型跃迁、II 型跃迁的物理机制及二者的相互关联》,项目编号:10844003,研究期限:2008.01—2008.12。

2. 主持国家自然科学基金项目:《调制n型掺杂ZnSe/BeTe/ZnSe II型量子阱结构中空间间接发光跃迁的起源》项目编号:10874101,研究期限:2009.01—2011.12。

3. 主持教育部留学回国人员启动基金项目:《调制n型掺杂ZnSe/BeTe II 型量子阱的制作及激子复合体的跃迁特性研究》,研究期限:2009.01—2011.12。

4. 主持山东省自然科学基金项目:《ZnSe/BeTe/ZnSe II型量子结构中的光学各向异性和激子复合体跃迁的研究》项目编号:Y2008A10,研究期限:2008.12—2011.12。

5. 主持国家自然科学基金:《2009凝聚态与光物理学术研讨会》,项目编号:10981260461,研究期限:2009.12—2009.12。

6. 承担国家973项目(国家重点基础研究发展计划项目):《金属/介质纳米异质结构中的局域耦合效应及其在光电转换器件中的应用》,项目编号:2009CB930503,研究期限:2009.01—2013.12。主要学术骨干、子项目负责人。

7. 主持教育部高等学校博士学科点(博导类)专项科研基金项目:《ZnTe基I型和II型量子阱结构的制备和光学特性研究》,项目编号: 20120131110006,研究期限:2013.01—2015.12。

8. 主持山东省科技厅科技发展计划项目:《具有纳米孔(柱)阵列的LED结构的制备及量子效率的研究》,项目编号:2013GGX10221,研究期限:2013.01—2015.12。

9. 主持国家重点实验室项目:《基于光谱的GaN基异质结材料与器件缺陷表征研究》,研究期限:2014.01—2016.12。

10. 主持教育部重点实验室项目:《InGaN/GaN基蓝绿LED结构中类量子点的形成与复合发光机制》,研究期限:2014.01—2016.12。

11. 主持国家自然科学基金重大研究计划项目:《利用纳米孔(柱)阵列同时提高LED内、外量子效率的研究》,项目编号:91433112,金额:100万元;研究期限:2015.01—2017.12。在研。

12. 主持国家自然科学基金项目:《基于能带工程/应力调控的高效InGaN基红光LED的研究》项目编号:51672163,总金额:82万元;研究期限:2017.01—2020.12。在研。

近年来作为第一作者或通讯作者的SCI代表性论文如下:

1.      Influence of the InGaN/GaN quasi-superlattice underlying layer on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells. Qi Mu, Mingsheng Xu, Xuesong Wang, Qiang Wang, Yuanjie Lv, Zhihong Feng, Xiangang Xu, and Ziwu Ji*. Physica E 76 (2016) 1-5.

2.      Influence of low temperature p-GaN layer on the optical properties of a GaN-based blue light-emitting diodes. Jianfei Li, Changfu Li, Qi Mu, Ziwu Ji*, Yuanjie Lv, Zhihong Feng, Xiangang Xu, and Mingsheng Xu. Materials Express 6 (2016) 527-532.

3.      Temperature dependent current–voltage curves study of GaN-based blue light-emitting diode. Mingsheng Xu, Qi Mou, Longfei Xiao, Quanbin Zhou, Hong Wang, Ziwu Ji*, and Xiangang Xu. Materials Express 6 (2016) 1-5.

4.      Fabrication and photoluminescence of strong phase-separated InGaN based nanopillar LEDs. Qiang Wang, Chuanrui Zhu, Yufan Zhou, Xuesong Wang, Baoli Liu, Xuelin Wang, Yuanjie Lv, Zhihong Feng, Xiangang Xu, Ziwu Ji*. Superlattices and Microstructures 88 (2015) 323-329.

5.      Influence of injection current and temperature on electroluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells. Huining Wang, Ziwu Ji*, Hongdi Xiao, Mengqi Wang, Shuang Qu, Shen Yan, Xiangang Xu. Physica E 59 (2014) 56-59.

6.      Green and blue emissions in phase-separated InGaN quantum wells. Fan Wang, Ziwu Ji*, Qiang Wang, Xuesong Wang, Shuang Qu,Xiangang Xu, Yuanjie Lv, Zhihong Feng. Journal of Applied Physics 114 (2013) 163525.

7.      Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells. Hu Sun, Ziwu Ji*, Huining Wang, Hongdi Xiao, Shuang Qu, Xiangang Xu, Aizi Jin, Haifang Yang. Journal of Applied Physics 114 (2013) 093508.

8.      Effect of substrate temperature on optical properties and strain distribution of ZnTe epilayer on (100) GaAs substrates. Lei Zhang, Ziwu Ji*, Shulai Huang, Huining Wang, Hongdi Xiao, Yujun Zheng, Xiangang Xu, Yun Lu, Qixin Guo. Thin Solid Films 536 (2013) 240–243.

9.      Effects of substrate temperature upon optical properties of ZnTe epilayers grown on (100) GaAs substrates by MOVPE. Shulai Huang, Ziwu Ji*, Mingwen Zhao, Lei Zhang, Hongyu Guo, Baoli Liu, Xiangang Xu, and Qixin Guo. Phys. Status Solidi A 209 (2012) 2041–2044.

10.    Influence of excitation power and temperature on photoluminescence in InGaN/GaN multiple quantum wells. Huining Wang, Ziwu Ji, Shuang Qu, Gang Wang, Yongzhi Jiang, Baoli Liu, Xiangang Xu, and Hirofumi Mino. Opt. Express 20 (2012) 3932-3940.

作为第一作者授权的国家发明专利:

1. 用分子束外延工艺制备II型量子阱的方法及设备;国家发明专利;专利号ZL 2009 1 0020717.1;授权日期 2010年09月08日; 发明人:冀子武,郑雨军,赵雪琴,李炳生,徐现刚。

2. 用光致激发在非掺杂量子阱中产生带电激子的方法及装置;国家发明专利;专利号ZL 2009 1 0020719.0;授权日期 2011年01月13日; 发明人:冀子武,郑雨军,赵雪琴,徐现刚。

3. 消除ZnSe/BeTe II型量子阱中内秉电场的方法;国家发明专利;专利号ZL 2009 1 0230077.7;授权日期 2012年9月5日; 发明人:冀子武,郑雨军,赵雪琴,徐现刚。


《中国青年科技工作者协会》会员


通信地址:山东省 济南市 山大南路27号 光电材料与器件研究所

邮政编码:250100

联系电话:0531-88365248

电子邮箱:jiziwu@sdu.edu.cn


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