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蒋然
2016-06-16 16:27   审核人:

 

   蒋然 副教授

   山东大学纳电子工程研究中心

   山东大学微电子学院

   地址:山东省济南市山大南路27

   邮编:250100

   电话:0086-531-88363606

   E-mail:jiangran@sdu.edu.cn

 

个人简介

蒋然,男,生于1981年1月,理学博士,副教授,硕士生导师。曾获香港“求是”优秀博士、博士后特别资助、“香江学者”入选人等奖励。目前主持多项国、省、市科研基金,包含国家重点研发计划385万(山大部分)。发表了多篇论文,包括Scientific Reports,Applied Physics Letters等。论文入选Appl. Phys. Lett. 编辑亮点论文 (Editor’s Pick)。拥有合作专利2项。

 

教育背景

2009.6山东大学物理与微电子学院,光电材料与器件,讲师/师资博士后

2007.6 兰州大学,物理科学与技术学院,理学博士

2002.6兰州大学,物理科学与技术学院,微电子与固体电子学


工作经历

2016.05-至今,    副教授, 山东大学微电子学院

2010.08-2011.08 访问学者,韩国首尔大学&三星公司

2010.12-2016.05,   副教授,山东大学物理学院

2007.07-2010.11  讲师,山东大学光电材料与器件研究所


主要研究方向

人工智能的硬件实现

存储器

能源器件、太阳能电池

柔性可穿戴微电子器件


教育教学

数字电路

数字电路实验

传感器技术

大学物理

量子力学

光学

 

承担的主要科研项目

10. 国家重点研发计划纳米科技重点专项纳米存储器三维集成中的基础研究中的课题一:新型纳米存储器的材料与单元研究2016YFA0201800 2016.07-2021.06.  共同第一。

09. 国家自然科学基金项目:局域氧空位分布及其对阻变存储器细丝导通机制的影响研究113741822013.08-2017.12.  主持。

08. 国家自然科学基金项目:超临界二氧化碳用于半导体纳米器件清洗和刻蚀工艺的研究 60876075 2009.01-2011.12. 第二位。

07. 山东省自然科学基金:氧迁移影响下的HfO2阻变存储器机理及其制备研究ZR2012FQ012 2012.07-2015.07. 主持。

06. 济南市高校院所自主创新:氧迁移对阻变存储器细丝传导影响的研究201303019, 2013.01-2015.12. 主持。

05. 教育部博士点基金: HfO2/Si界面化学结构研究0804221006, 2009.01-2011.12 主持。

04. 山东大学自主创新基金:Hf基高K层金属纳米晶浮栅存储器制备2010TS0232008.01-2010.12. 主持。

03. 山东省科技厅攻关计划:具有纳米孔(柱)阵列的LED结构的制备及量子效率的研究 2013GGX10221 2013.01-2015.12. 第二位。

02. 山东省科技厅攻关计划:尺寸可控的柔性GaN基纳米薄膜的制备及特性研究 2012GGX10228 2012.01-2014.12. 第二位。

01. 山东省自然科学基金:兼具整流效应的新型柔性阻变存储器的研究 ZR2013FM033ZR2013FM033 2013.10-2016.10. 第二位。


学术兼职和社会服务

Appl. Phys. Lett., IEEE EDL等SCI期刊资深审稿人

国家自然科学基金、山东省重点研发计划、山东省自然科学基金、博士后基金、浙江省自然科学基金、教育部学位论文等通讯评审专家


代表性论文

Ø  R. Jiang, X. Du, W. Sun, Z. Han, and Z. Wu, Enhancement of the blue photoluminescence intensity for the porous silicon with HfO2 filling into microcavities  Scientific reports 5,15574 (2015).

Ø  J. Ran, X. Erqing, and W. Zhenfang, Interfacial chemical structure of HfO2/Si film fabricated by sputtering  Appl. Phys. Lett. 89 (14) (2006). 被引用56

Ø  R. Jiang, Z. Wu, X. Du, Z. Han, and W. Sun, Ferroelectric-field-effect-enhanced resistance performance of TiN/Si: HfO2/oxygen-deficient HfO2/TiN resistive switching memory cells  Appl. Phys. Lett. 107 (1), 013502 (2015). 被引用3

Ø  R. Jiang, Z. Han, W. Sun, X. Du, Z. Wu, and H.-S. Jung, Ferroelectric modulation of terahertz waves with graphene/ultrathin-Si: HfO2/Si structures  Appl. Phys. Lett. 107 (15), 151105 (2015).

Ø  R. Jiang, Z. Wu, X. Du, Z. Han, and W. Sun, Strong photoluminescence of the porous silicon with HfO2-filled microcavities  Appl. Phys. Lett. 106 (25), 252902 (2015). 被引用2

Ø  R. Jiang and Z. Li, Behavior of stress induced leakage current in thin HfOxNy films  Appl. Phys. Lett. 92 (1), 2919 (2008). 被引用16

Ø  R. Jiang, X. Du, Z. Han, and W. Sun, Investigation of chemical distribution in the oxide bulk layer in Ti/HfO2/Pt memory devices using x-ray photoelectron spectroscopy  Appl. Phys. Lett. 106 (17), 173509 (2015). 被引用10

Ø  R. Jiang, E. Xie, Z. Chen, and Z. Zhang, Electrical property of HfOxNy–HfO2–HfOx Ny sandwich-stack films  Appl. Surf. Sci. 253 (5), 2421 (2006). 被引用21

Ø  R. Jiang, Z. Li, and Y. Zhang, Inflexion behaviour of VFB while tuning the oxide thickness in HfO2-based capacitors  Journal of Physics D: Applied Physics  43 (16), 3590 (2010). 被引用1

Ø  R. Jiang and Z. Li, Interfacial growth at the HfO2/Si interface during annealing in oxygen ambient  Semiconductor Science & Technology 24 (6), 1315 (2009). 被引用11

Ø  R. Jiang, E. Xie, and Z. Wang, Effect of inner oxygen on the interfacial layer formation for HfO2 gate dielectric  Journal of materials science 42 (17), 7343 (2007). 被引用17

Ø  R. Jiang, Z. Han, and X. Du, Reliability/Uniformity improvement induced by an ultrathin TiO2 insertion in Ti/HfO2/Pt resistive switching memories   Microelectronics Reliability  63, 37 (2016). 被引用1

Ø  R. Jiang, Z.-R. Wu, Z.-Y. Han, and H.-S. Jung,  HfO2-based ferroelectric modulator of terahertz waves with graphene metamaterial  Chinese Physics B 25 (10), 106803 (2016).

Ø  R. Jiang and Z.-F. Li, Oxygen Recovery in Hf Oxide Films Fabricated by Sputtering  Chinese Physics Letters 26 (5), 57101 (2009). 被引用5

Ø  R. Jiang and L.-T. Yao, Interface Evolution of TiN/Poly Si as Gate Material on Si/HfO2 Stack  Chinese Physics Letters 25 (6), 2190 (2008). 被引用1

Ø  R. Jiang and E. Xie, Electrical Properties of HfOxNy Gate Dielectrics  Journal of Semiconductors 27, 172 (2006).

Ø  J. Ran and Z. Yan, Observation of ferromagnetism in highly oxygen-deficient HfO2 films  Journal of Semiconductors 30 (10), 102002 (2009). 被引用8

Ø  J. Ran and Z. Yan, Visible photoluminescence of porous silicon covered with an HfON dielectric layer  Journal of Semiconductors 30 (8), 14 (2009).

Ø  J. Ran, D. Xianghao, and H. Zuyin, Ferroelectricity-modulated resistive switching in Pt/Si: HfO2/HfO2− x/Pt memory  Journal of Semiconductors 37 (8), 084006 (2016).

Ø  R. Jiang, L. Meng, X. Zhang, H.-S. Jung, and C. S. Hwang, Atomic layer deposition of an Al2O3 dielectric on ultrathin graphite by using electron beam irradiation   Journal of Semiconductors 33 (9), 34 (2012). 被引用3

Ø  Z. Yan and J. Ran*, Effect of annealing on characteristics of a HfOxNy− HfO2− HfOxNy sandwich stack compared with HfO2 film  Journal of Semiconductors 30 (8), 082004 (2009). 被引用4

备注:2016年谷歌统计引用

 

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山东大学纳电子工程研究中心,由国家千人计划特聘教授于2012年初领衔组建,是山东大学纳电子技术创新、技术成长的摇篮,也是纳电子科技推广应用的基石。其宗旨为推动实施“科教兴国、科教兴鲁”战略,发挥山东大学在纳电子学科的技术优势,在培养高层次、实用型、复合型、国际化微电子人才的同时,以面向市场、产业和纳电子领域需求为目标,加强产学研联合,提高纳电子产业自主创新能力,促进今后山东省乃至全国微纳电子产业的发展、提升信息产业发展水平。

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