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徐明升
2017-12-22 15:32   审核人:

个人简介

徐明升,山东烟台人;山东大学微电子学院副研究员,教学科研岗,硕士生导师, IEEE member;主要从事宽禁带半导体材料生长和光电器件制备工作,第一/通讯作者发表SCI/EI收录论文十余篇,授权专利十余项,主持国家自然科学基金、博士后基金面上和特别资助等多项科研项目。

联系方式:

通信地址:山大南路27号山东大学中心校区知新楼C813

邮政编码:250100

联系电话:0531-88363606

电子邮箱:xums@sdu.edu.cn

教育经历:

20099 - 20146月,山东大学,材料物理与化学,博士,导师:徐现刚;

20059 - 20096月,山东大学,物理学,学士;

工作经历:

201410 – 20176月,华南理工大学,物理与光电学院,博士后/助理研究员

20177-至今,山东大学, 微电子学院,纳电子研究中心,副研究员

主讲课程

《热学》

研究方向

宽禁带半导体材料(氮化镓、氧化镓等)生长和光电器件制备

主持科研项目

[1] InGaN/GaN多量子阱绿光LED内量子效率及响应频率研究, 国家自然科学基金青年基金,项目负责人,经费23万,2016-2018

[2] 氧化镓基高耐压场效应晶体管技术研究, 山东大学基本科研业务费,项目负责人,经费15万,2017-2019

[3]集成放大器的氮化镓基发光二极管频率和效率特性研究,博士后基金特别资助,项目负责人,经费15万,结题;

[4] 高频高效氮化镓基LED光电特性研究,博士后基金面上资助,项目负责人,经费5万,结题。

代表性论文

[1] Xu, M., Hu, X., Peng, Y., Yang, K., Xia, W., Yu, G., & Xu, X. (2013). Fabrication of ohmic contact on the carbon-terminated surface of n-type silicon carbide. Journal of Alloys and Compounds, 550, 46-49.

[2] Xu, M., Xu, H., Shen, Y., Hu, X., & Xu, X. (2014). Effect of beveled SiC substrate on light extraction of flip-chip light-emitting diodes. IEEE Photonics Technology Letters, 26(10), 1053-1056.

[3] Xu, M., Zhou, Q., Zhang, H., Wang, H., & Zhang, X. (2016). Improved efficiency of near-ultraviolet LEDs using a novel p-type AlGaN hole injection layer. Superlattices and Microstructures, 94, 25-29.

[4] Xu, M., Zhang, H., Zhou, Q., & Wang, H. (2016). Effects of spectral parameters on the light properties of red-green-blue white light-emitting diodes. Applied optics, 55(16), 4456-4460.

[5] Xu, M., Mu, Q., Xiao, L., Zhou, Q., Wang, H., Ji, Z., & Xu, X. (2016). Temperature dependent current–voltage curves study of GaN-based blue light-emitting diode. Materials Express, 6(2), 205-209.


授权专利

[1] 王成新 徐明升 曲爽 马旺 徐现刚, 一种GaN基发光二极管结构及其制备方法,ZL201310074695.3,授权日期:2017-02-08

[2] 李毓锋 徐明升 曲爽 马旺 王成新,一种白光LED的生长方法及利用该生长方法制备的白光LEDZL201310214341.4, 授权日期:2017-11-17

[3] 徐化勇 徐现刚 徐明升 沈燕, 一种半导体发光二极管芯片及其制作方法, ZL201310476571.8,授权日期:2017-05-17

[4] 徐明升 王洪,一种GaN基薄膜晶体管结构,ZL201520936303.4,授权日期:2016-08-03

[5] 徐明升 周泉斌 王洪,一种GaN基倒装HEMT器件结构,ZL 201520638072.9,授权日期:2016-01-06

[6] 徐明升 王洪 周泉斌,一种具有放大器的氮化镓发光二极管结构,ZL 201620528439.6,授权日期:2017-02-22

[7] 徐明升 王洪周 泉斌,一种具有GaN:C/GaN超晶格高阻层的HEMT结构,ZL 201621088684.6,授权日期:2017-05-31


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