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张宇
2018-01-16 08:36   审核人:


张宇,男,生于1978年12月,山东大学/耶鲁大学联合培养博士,副研究员,硕士研究生导师。
长期从事GaN材料和器件的研发和产业化工作,主持和参与国、省、市科研和产业化基金10余项,包含国家重点研发计划项目,自然基金项目,GaN LED产业化项目,GaN衬底材料产业化项目,校企合作项目等。发(现)明了氮化镓多孔结构材料制备方法;带领团队成功把大功率垂直结构LED和高端氮化镓衬底推向产业化。发表了论文30余篇,包括Applied Physics Letters, Nanotechnology, Scientific Reports,Advanced materials等。学术成果在International Conference on Nitride Semiconductors(ICNS), International Workshop on Nitride Semiconductors (IWN), Electronic Materials Conference (EMC)等国际会议上口头报告或张贴报告20余次,得到业内的认可和好评。申请国际和中国发明专利30余项,,已授权10余项,其中一项国际专利授权给国际知名半导体公司进行产业化。一直与氮化镓产业界保持密切的合作。

2017 03-至今, 副研究员, 山东大学微电子学院

2015.04-2016.11, 副总经理,镓特半导体科技有限公司

2013.5-2015.05, 副总经理,映瑞光电科技(上海)有限公司

2011.02-2013.5, 博士后/副研究员,耶鲁大学 电子工程系

2010.10 山东大学-耶鲁大学联合培养,物理学院-电子工程,博士

2006.7 山东大学,物理与微电子学院,硕士

2003.7 郑州轻工业学院,机械工程,学士

本科生课程:原子物理学

研究生课程:电子薄膜科学

1.氮化镓材料的制备用于光电子器件和电力电子器件的开发

2.氮化镓光电子器件的研究和开发:先进LED 的设计和制备,氮化镓激光器的设计和制备

3. 氮化镓电力电子器件的研究和开发:GaN HEMTs,GaN 开关二极管等高频,大功率器件

4.基于微流控技术的先进医疗诊断:如癌症的早期检测,个性化治疗分析等

1.高增敏金属纳米结构材料与聚集体生化传感器研究-2, 国家重点研发计划"战 略性先进电子材料"重点专项子课题(国家级) 2017YFB0405400, 2017.7-2022.6, 子课题负责人

2.新型氮化镓蓝紫光垂直腔面发射激光器的研发, 山东重点研发计划 (省部级)2017GGX10106,

2017.7-2019.6,负责人

3.基于氮化镓先进刻蚀技术的氮化镓基激光器的关键技术问题研究, 山东大学基本科研业务费资助-人才引进与培养类专项(省部级) 2017TB0020, 2017.9-2019.12, 负责人

4.癌症早期检测SERS 传感芯片的研究, 深圳市科技创新基础研究(自由探索) (省部级) ,

JYCJ20170307093106023, 2017.7-2019.6, 项目骨干

5.用于乳腺癌早期诊断的微流控生化传感器的研究, 2017年山东大学基本科研业务费交叉学科培育

项目 (省部级), 11500077611023, 2017.1-2018.12, 项目骨干

6. 平片蓝宝石衬底上大功率发光二极管核心技术的研发及产业化,上海经济信息委员会(省部级),

2013.8-2015.08, 3566.74 万,负责人

7. 低成本自支撑氮化镓衬底的产品开发及产业化,上海市“科技创新行动计划”高新技术领域项目(省部级), 2015.07-2017.06, 5400 万,主要负责人

Wiley publishing , Elsevier 等多家国际知名学术期刊特邀评审专家;

上海浦东新区新能源协会专业委员会委员;

  1. 2014 Structural Dynamics of GaN Microcrystals in Evolutionary Selection Selective Area Growth probed by X-ray Microdiffraction,Scientific Report, V. Kachkanov,B. Leung, J. Song, Y. Zhang,M.-C. Tsai, G. Yuan, J. Han,K.P. O'Donnell,

  2. 2014 Growth, structural and optical properties of ternary InGaN nanorods prepared  by selective-area metalorganic chemical vapor deposition, Nanotechnology J.Song, B. Leung, Y.Zhang and J. Han,

  3. 2013 Evolutionary Selection Growth: TowardsTemplate-Insensitive Preparation of Single-Crystal Layers, Advanced Materials B.Lueng, J. Song, Y. Zhang, J.Han,

  4. 2013 Study of the mechanical properties of nanoporous GaN and its application to   epitaxial liftoff, ACS Appl Mater Interfaces S.J Huang, Y. Zhang, B. Leung, G. Wang, H. Jiang,Y.M. Fan,Q. Sun, J.F. Wang, K. Xu, J.Han,

  5. 2012a liftoff process of GaN layers and devices through nanoporous transformation, Appl. Phys.Lett. Y. Zhang, B. Leung, and J. Han;Semiconductor today news: Nanoporous GaN for vertical LED lift-off http://www.semiconductor-today.com/news_items/2012/MAY/YALE_150512.html

  6. 2012AWafer-Level Integrated White-Light-Emitting Diode Incorporating Colloidal Quantum Dots as a Nanocomposite Luminescent Material, Advanced Materials C. Dang, J. Lee, Y. Zhang, J. Han,C.Breen, J.S.Steckel, S.C.Sullivan, and A. Nurmikko,

  7. 2011 Fabrication of large area, free standing GaN by a novel nanoetching process,  Nanotechnology Y. Zhang, Q. Sun, B. Leung, John Simon, Minjun Larry Lee and J. Han;nanotechweb news: Nanoscale etch releases free-standing GaN over large area     http://nanotechweb.org/cws/article/lab/44798

  8. 2011 Shape transformation of nanoporous GaN by annealing: From buried cavities to

    nanomembranes, Appl. Phys. Lett. C.Yerino, Y.Zhang, B.Leung, M.L.Lee, T-C Hsu,C-K Wang,W-C Peng, J.Han,

  9. 2011 Polarization Coulomb field scattering in AlGaN/AlN/GaN heterostructure field-effect transistors, Appl. Phys. Lett. Y.J.Lv, Z.J.Lin, Y. Zhang, L.G.Meng, C.B. Luan, Z.F. Cao,H. Chen,Z.G. Wang,

  10. 2010 A conductivity-based selective etching for next generation GaN devices, Physica Status Solidi (b) Y.Zhang,S.-W.Ryu,C.D.Yerino,B.Leung,Q.Sun,Q.Song,H.Cao,and J.Han;

1. based selective etch for GaN Devices and applications thereof, 国际发明专利,WO2011/094391A1;

2. Conductivity based selective etch for GaN Devices and applications thereof, 美国授权发明专利, US9206524B2;

3. Conductivity-based selective etching and its applications for GaN Device,s 日本授权发明专利, JP5961557B2;

4. based on selective etching of the conductive for GaN Devices and their applications 中国授权发明专利, CN102782818B;

5.发光二极管、封装基板结构及封装方法,中国授权发明专利, ZL201410318643.0;

6.垂直型LED 的制作方法,中国授权发明专利, ZL201410318634.1;

7.一种具有特殊粗化形貌的LED 垂直芯片结构及其制备方法,中国授权发明专利,ZL201410468337.5 ;

8.提高LED 芯片电流扩展的方法及LED 芯片,中国授权发明专利, ZL201410510065.0;


热烈欢迎有意向的同学加入课题组!

yuzhang@sdu.edu.cn


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