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芯系未来系列活动(第十一期)顺利开展

发布日期:2022-06-14点击:

6月12日晚,微电子学院举办了“芯系未来”系列活动(第十一期)——新一代垂直型氮化镓功率器件与单片集成模块。本次活动特邀山东大学齐鲁青年学者、微电子学院教授、博士生导师刘超主讲,学院党委副书记崔剑主持活动。

刘超教授首先介绍了GaN功率半导体应用场景及市场分析。他指出,GaN功率器件将在消费类电子、电动汽车、工业电源等领域广泛应用,前景十分光明。相比当下主流的功率器件,GaN功率器件尺寸更小,开关速度更快。垂直型GaN功率器件还可大幅减小功率系统的重量、体积和成本,是GaN功率器件未来的发展方向。

随后,刘超教授详细介绍了垂直型GaN功率器件的研究进展和自己所在课题组取得的技术突破。他指出,垂直型GaN功率器件有GaN-on-GaN和GaN-on-Si两种技术路线。GaN-on-GaN功率器件晶体质量较高、电流扩展性好,但成本偏高;GaN-on-Si功率器件可实现大尺寸、低成本制造,但晶体质量较差,难以实现高击穿电压、低导通电阻。为解决GaN-on-Si功率器件的技术难题,刘超教授课题组研发了基于硅基GaN的p-i-n二极管,肖特基二极管,世界首个GaN-on-Si垂直结构功率MOSFET,以及世界首个基于垂直型GaN的集成功率模块技术。刘超总结说道,他所带领的课题组致力于研发高性能、低成本垂直型GaN功率器件与模块,这将推动整体产业的加速发展。

本次活动为学生们科普了GaN功率器件的发展历程与最新成果,培养了学生们的科研创新热情,激励学生们刻苦学习,勇攀微电子行业的高峰。

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