传统的基于电子电荷属性的集成电路已逼近摩尔定律的物理极限，且受冯·诺依曼架构下“功耗墙”和“存储墙”等限制，无法满足大数据、人工智能和物联网等的快速发展对数据存储、处理和传输的更高要求。基于电子自旋属性的自旋电子器件具有非易失、响应快、低功耗等优势，成为后摩尔时代集成电路领域的关键技术之一。近年来新发现的二维磁性材料具有原子尺度多场物性调控、高密度异质集成的优势，为“存算一体”等新型信息器件的研发提供了重要机遇，受到了全球各大科研单位和三星、台积电等集成电路领军企业的广泛重视。

鉴于此，王以林教授团队综述了具有代表性的二维磁性材料及其相关自旋电子器件的研究进展，并展望了其在实际器件应用中面临的机遇与挑战，以“Two-Dimensional Magnetic Materials for Spintronic Devices”为题发表在Materials Today Nano（中科院一区，影响因子：10.3）。该综述介绍了在自旋电子器件中具有代表性的CrX₃ (X = Cl；Br；I)，过渡金属磷硫化合物MPX₃，Cr₂Ge₂Te₆，Fe₃GeTe₂，Fe₃GaTe₂，CrSBr以及磁性Janus单层等二维磁性材料的物理性质及其调控方法，尤其是电控磁效应，讨论了基于二维磁性材料的自旋阀、自旋过滤磁隧道结、自旋轨道转矩以及磁振子阀等自旋电子器件的最新进展，最后对其所面临的机遇与挑战进行了展望。

我院19级博士生弭孟娟为文章第一作者，王以林教授为通讯作者，文章的合作者还有济南大学曹强副教授。相关工作得到了国家重点研发计划、国家自然科学基金、山东省自然科学基金、山东大学齐鲁青年学者计划等项目的资助。

文章链接：https://doi.org/10.1016/j.mtnano.2023.100408